RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
40
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2183
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link