RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2284
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link