RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2240
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link