RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
40
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3528
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link