RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
4095
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link