RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3022
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link