RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3618
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link