RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3768
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link