RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3592
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link