RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2723
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link