RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
67
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1895
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link