RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2849
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link