RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3134
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link