RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2939
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link