RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2516
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link