RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2667
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965516-100.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link