RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2081
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link