RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1875
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link