RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3135
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link