RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3119
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link