RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3413
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link