RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3488
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link