RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3380
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link