RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3606
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link