RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3929
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link