RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
28
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
16
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3952
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link