RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3037
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link