Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 28

Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.6 12.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.9 9.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2112 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns