RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2417
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link