RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3395
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link