RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2660
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link