RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2882
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link