RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2140
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link