RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
84
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
84
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1614
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link