RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3637
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link