RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3167
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link