RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3322
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link