RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
1900
Wokół strony 6.74% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
1900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2387
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link