RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2468
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link