RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
51
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2687
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link