RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2480
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link