RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2732
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link