RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2979
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link