RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2120
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link