RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2188
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link