RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2868
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link