RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2202
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link