Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.4 12.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.5 9.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 12800

Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2112 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns