RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 6.4
    Średnia wartość w badaniach
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 6.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2112 left arrow 1732

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Pamięć RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Pamięć RAM
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Pamięć RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pamięć RAM