Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 6.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 6.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2112 left arrow 1732
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania