RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2140
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link